KARBID KŘEMÍKU podnos
Aplikace: Proces ICP leptání pro tenkovrstvé materiály epitaxní vrstvy (GaN, SiO2 atd.) pro jádra waferů LED, difúze polovodičů pomocí přesných keramických dílů a epitaxní proces MOCVD pro polovodičové wafery. Keramické vaničky z karbidu křemíku jsou vyrobeny z vysoce čistého, netlakovaného keramického materiálu ze slinutého karbidu křemíku, který má výhody vysoké tvrdosti, odolnosti proti opotřebení, vysoké tepelné vodivosti, mechanické stability při vysokých teplotách a odolnosti proti korozi, jakož i vysoké přesnosti a jednotnosti. leptání epitaxní vrstvy plátku.
Popis
SiC vaničky mají oproti jiným typům van mnoho výhod. Především díky vysoké tepelné vodivosti jsou ideální pro procesy tepelného zpracování, jako je slinování a pájení. Mohou odolat teplotám až 1650 stupňů bez deformace nebo degradace, což znamená, že mohou být použity v drsném prostředí, kde by jiné materiály selhaly.
Za druhé, misky z karbidu křemíku jsou chemicky inertní a nereagují s většinou chemikálií, včetně kyselin, zásad a solí. Díky této vlastnosti jsou ideální pro použití v chemickém a farmaceutickém průmyslu, kde se často používají agresivní chemikálie.
Za třetí, SiC vaničky jsou vysoce odolné proti oděru a mají nízký koeficient tepelné roztažnosti. Díky tomu jsou ideální pro použití ve vysokoteplotních pecích, kde díly musí dobře lícovat a neroztahovat se nebo smršťovat kvůli teplotním změnám.
